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AOD4132  与  IPD04N03LB G  区别

型号 AOD4132 IPD04N03LB G
唯样编号 A-AOD4132 A-IPD04N03LB G
制造商 AOS Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET N-CH 30V 50A TO252-3
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Crss(pF) 390 -
功率耗散(最大值) - 115W(Tc)
Rds On(Max)@Id,Vgs 4mΩ@10V -
ESD Diode No -
Rds On(Max)@4.5V 6mΩ -
Qgd(nC) 17.6 -
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) - 5200pF @ 15V
栅极电压Vgs 20V -
Td(on)(ns) 12 -
封装/外壳 TO-252 TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63
连续漏极电流Id 85A -
不同Vgs时栅极电荷 (Qg)(最大值) - 40nC @ 5V
工作温度 - -55°C ~ 175°C(TJ)
Ciss(pF) 3700 -
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) - 4.1 毫欧 @ 50A,10V
Vgs(最大值) - ±20V
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) - 4.5V,10V
Schottky Diode No -
Trr(ns) 34 -
Td(off)(ns) 40 -
技术 - MOSFET(金属氧化物)
漏源极电压Vds 30V -
Pd-功率耗散(Max) 100W -
Qrr(nC) 30 -
VGS(th) 3 -
FET类型 N-Channel N 通道
不同Id时Vgs(th)(最大值) - 2V @ 70uA
25°C时电流-连续漏极(Id) - 50A(Tc)
漏源电压(Vdss) - 30V
Coss(pF) 700 -
Qg*(nC) 33 -
库存与单价
库存 359 0
工厂交货期 3 - 5天 56 - 70天
单价(含税)
1+ :  ¥3.6735
100+ :  ¥2.6471
1,000+ :  ¥2.2785
2,500+ :  ¥1.8
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